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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
CSD19534Q5AT
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CSD19534Q5AT
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产品编号:
CSD19534Q5AT
制造商:
TI
物料编号:
W080165
描述:
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
交期:
24周
规格书:
CSD19534Q5AT 相关信息
属性
描述
Category
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
安装类型
表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15.1 毫欧 @ 10A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
44A(Tc)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1680 pF @ 50 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
22 nC @ 10 V
漏源电压(Vdss)
100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
零件状态
在售
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-VSONP(5x6)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.4V @ 250µA
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta),63W(Tc)
基本产品编号
CSD19534
包装
剪切带(CT)
包装
卷带(TR)
系列
NexFET™
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下载数据表于制造商文档 CSD19534Q5AT
表面贴装型 N 通道 100 V 44A(Tc) 3.2W(Ta),63W(Tc) 8-VSONP(5x6)
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